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BQ2201SN是一款存儲器控制器SRAM非易失性控制器IC

時間:2019-6-8, 來源:互聯網, 文章類別:元器件知識庫

CMOS BQ2201SN SRAM非易失性控制器單元提供所有必要的轉換標準的功能CMOS SRAM變為非易失性讀/寫內存。精密比較器監控5V VCC輸入,超出容差范圍條件。當超出容忍范圍時檢測到,條件芯片使能輸出被強制為無效以寫保護任何標準CMOS SRAM。在電源故障期間,外部SRAM從VCC切換供兩個3V備用電源之一。在隨后的加電中,SRAM被寫保護,直到a電力有效條件存在。bq2201具有足跡和時序兼容的行業標準,并具有額外的優勢芯片使能傳播延遲不到10ns。

特征

電源監控和切換適用于3伏電池備份應用

寫保護控件

3伏主電池輸入

芯片使能小于10ns傳播延遲

5%或10%的供應操作

引腳連接圖

引腳名稱

VOUT電源輸出

BC1-BC2 3伏主備用電池輸入

THS閾值選擇輸入

CE芯片使能有源低輸入

CECON條件芯片使能輸出

VCC + 5伏電源輸入

VSS地面

NC無連接

功能說明、引腳連接:

外部CMOS靜態RAM可以由電池供電使用VOUT和條件芯片使能輸出來自bq2201的引腳。隨著VCC在電源期間降溫失敗,條件芯片使能輸出CECON強制非活動狀態,獨立于芯片使能輸入CE。此活動無條件地寫保護外部作為VCC的SRAM降至超出容差閾值VPFD。VPFD由閾值選擇輸入引腳THS選擇。

如果THS與VSS相關聯,則電源故障檢測發生在4.62V典型的5%供應操作。如果THS與VCC相關聯,對于10%供電操作,電源故障檢測發生在4.37V典型值。THS引腳必須連接到VSS或VCC正確的操作。如果在電源故障檢測期間正在進行存儲器訪問,則該存儲器周期將繼續完成內存被寫保護。如果存儲器周期未在時間tWPT內終止,則CECON輸出無條件地驅動為高電平,對存儲器進行寫保護。

隨著供應繼續下降超過VPFD,內部開關器件迫使VOUT到兩個外部之一備用能源。VEC將CECON保持在高位能量源。

上電期間,當VCC上升到備用電池輸入電壓以上時,VOUT切換回VCC電源采購VOUT。CECON輸出保持無效供電后的時間tCER(最大120 ms)到達VPFD,獨立于CE輸入,允許處理器穩定。

在電源有效操作期間,CE輸入被饋送通過傳播延遲到CECON輸出不到10ns。非易失性是通過硬件實現的hookup,如上圖所示。能量電池輸入-BC1,BC2提供兩個主要備用能源輸入在bq2201上。BC1和BC2輸入接受3V原電池,通常是某種類型的鋰化學電池。如果在BC1或BC2上沒有使用主小區,則未使用的輸入應綁定到VSS。如果使用兩個輸入,則在電源故障期間使用VOUT

輸出僅由BC1饋送,只要它大于2.5V。如果BC1的電壓低于2.5V,則為內部電壓隔離開關自動從BC1切換VOUT到BC2。當沒有有效數據時,為了防止電池耗盡保留,VOUT和CECON在內部隔離

BC1和BC2通過以下任一方式:電池初始連接到BC1或BC2,或在CE上顯示隔離信號。

當VCC交叉時,有效的隔離信號要求CE為低電平斷電期間VPFD和VSO都是如此。見下圖。在這兩個時間點之間,必須帶來CE到(0.48到0.52)* VCC并至少保持700ns。如果CE超過,隔離信號無效在VCC穿越VPFD和之間的任何點處的0.54 * VCCVSO。適當的電池連接到VOUT和CECON

立即申請并取消VCC。

掉電時續圖

上電時序圖


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